地 址:联系地址联系地址联系地址电 话:15555578555网址:www.evadw.t0g.com邮 箱:7376152@qq.com
在2029至2031年,布远而DDR6和3D DRAM也出现在这个时间段内,景产超牛首码网发稿平台www.cyysh.comSK海力士计划推出16层堆叠的品线HBM 4以及8层、还有定制款的存最HBM4E。目前GDDR7的快年速度基本是30~32Gbps,12层和16层堆叠的海力HBM4E,企业级与消费级的布远PCIe 6.0 SSD,线路图列出了2029至2031年会有PCIe 7.0的景产超牛首码网发稿平台www.cyysh.com消费级和企业级SSD,面向AI市场的品线有LPDDR5X SOCAMM2、
DRAM市场方面,存最还有很大潜力可以挖掘,快年他们公布的海力产品线路图涵盖了HBM、在传统DRAM市场会生产LPDDR6内存,布远有面向传统市场的景产标准产品以及面向人工智能市场的衍生产品,UFS 6.0以及400层以上堆叠的4D NAND,而标准的上限是48Gbps,所以应该是GDDR7的升级版,以及面向移动设备的UFS 5.0闪存,DRAM和NAND,在NAND方面,并不是GDDR8,这些定制设计将包括控制器和协议IP在内的更多逻辑集成到芯片内部,他们计划推出容量高达245TB以上采用QLC闪存的PCIe 5.0 SSD,
NAND方面,从而释放GPU或ASIC芯片面积并降低接口功耗。同期还有GDDR7-Next显存以及PCIe 7.0 SSD,LPDDR5R和第二代CXL LPDDR6-PIM。也说明显卡厂商准备把GDDR7用到那个时候。还有面向AI市场的高性能以及高带宽AI-N产品。MRDIMM Gen2、HBM5E以及其定制版本,提及了DDR6内存要在2029年到2031年间才会登场,线路图上出现了GDDR7-Next,SK海力士计划推出HBM5、
SK海力士在2025年SK AI峰会上公布了其DRAM内存和NAND闪存的长期发展规划,下面我们一起来看看他们的线路图。
在2026至2028年,